Во время конференции VLSI 2025 компания Intel представила детали своего будущего технологического процесса 18A, который считается конкурентом 2-нм технологии TSMC. Согласно заявлениям компании, новый техпроцесс обеспечит до 25% повышения производительности или до 36% снижения энергопотребления при увеличении плотности транзисторов на 30% по сравнению с текущим вариантом Intel 3.

В качестве ключевых компонентов используются транзисторы RibbonFET (GAA) второго поколения и технология PowerVia, которая позволяет подавать питание с обратной стороны кристалла, что способствует увеличению плотности компонентов на 8-10%. Технология также совместима с современными методами упаковки чипов, такими как Foveros и EMIB. Благодаря применению одноэкспозиционной EUV-литографии Intel удалось сократить число масок и упростить процесс разработки.

Первые образцы чипов на базе процесса 18A планируется представить до конца текущего года.

Источник: @mknewsru