Исследователи из одного из ведущих университетов Китая добились значительного прорыва в области хранения информации. Их новая энергонезависимая флеш-память, получившая название PoX, демонстрирует невероятную скорость — запись одного бита занимает всего 400 пикосекунд.

Для сравнения, современные технологии записывают данные за 1-10 наносекунд, что намного медленнее и не соответствует требованиям современных приложений, таких как искусственный интеллект, обрабатывающий огромные объемы данных в реальном времени.

Создатели полностью пересмотрели физические принципы работы флеш-памяти, заменив кремниевые каналы двумерным графеном и использовав его для ballistic charge transfer. Это позволило настроить «гауссову длину» канала и добиться эффекта двумерной сверхинжекции — практически неограниченного потока заряда в область хранения, что значительно ускоряет процесс.

Проще говоря, обычная флеш-память напоминает узкую трубу, через которую медленно течет заряд, сталкиваясь с сопротивлением стенок. Новая разработка создает сверхскоростной канал без сопротивления, по которому электроны движутся почти со скоростью света — как многополосное шоссе без пробок.

Инженеры продолжают работу по масштабированию этой технологии, и при успешном внедрении PoX может стать новой вехой в сфере сверхбыстрой и энергоэффективной памяти.

Источник: @droidergram